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元件参数资料
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参数目录36953
> MJ11032G TRANS DARL NPN 50A 120V TO3
型号:
MJ11032G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS DARL NPN 50A 120V TO3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MJ11032G PDF
产品目录绘图
Transistor TO-3 Pkg
标准包装
100
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
120V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
3.5V @ 500mA,50A
电流 - 集电极截止(最大)
2mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
1000 @ 25A,5V
功率 - 最大
300W
频率 - 转换
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-204AE
供应商设备封装
TO-3
包装
托盘
产品目录页面
1559 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MJ11032GOS
查看MJ11032G代理商
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